IDP dissenyarà la nova planta de micro i nanotecnologia de l'ICN2

L'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) ha adjudicat a l'enginyeria sabadellenca IDP l'avantprojecte de la nova planta de desenvolupament de micro i nanotecnologia, Innofab. Aquesta infraestructura estarà ubicada a Cerdanyola del Vallès, a tocar del Sincrotró Alba, la infraestructura científica de tercera generació més important del Mediterrani. Innofab serà una infraestructura única en l'àmbit espanyol i es convertirà en un referent europeu en la fabricació de semiconductors avançats. Comptarà amb una superfície construïda d'11.000 m2, i inclourà dues grans àrees independents: una de producció al voltant de 7.000 m2, incloent-hi una sala blanca de 2.000 m2 dedicada al desenvolupament de micro/nanotecnologies innovadores basades en semiconductors avançats ("beyond-CMOS"), i una altra de laboratoris i oficines d'uns 4.000 m2. L'enginyeria, amb seu a la Torre Millenium, serà l'encarregada del desenvolupament de l'avantprojecte utilitzant la metodologia BIM (Building Information Modeling), el que assegurarà una gestió eficient i el compliment dels més alts estàndards de qualitat, terminis i costos. L'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) és un institut d'investigació internacional sense ànim de lucre ubicat a Cerdanyola del Vallès. Es dedica a la generació de coneixement, materials i dispositius en tres camps principals: TIC, salut i medi ambient. La seva investigació se centra en la nano escala, explorant noves propietats i aplicacions per a la vida quotidiana. Aquesta instal·lació serà la primera infraestructura d'Espanya per al desenvolupament de semiconductors d'aquestes característiques. Proporcionarà serveis a empreses emergents, empreses sense fàbrica pròpia i centres d'investigació, impulsant l'atracció d'empreses innovadores a Barcelona, que actualment han de prefabricar els seus xips a altres països.